nand和dram芯片区别
nand芯片与dram芯片它们的区别在于架构不同
nand芯片是一款高度集成的南桥芯片，增加了对AC97、MC97支持，并且集成I/O控制器与硬件。
dram芯片是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上
DRAM和NAND芯片是指什么
DRAM和NAND芯片都是指存储芯片，常用于电子设备中。
DRAM是动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory）的缩写，是一种常用的内存芯片。DRAM能够快速读写数据，是电脑、智能手机等电子产品中使用最广泛的存储器件之一。DRAM存储单元采用电容来存储电荷，需要经常对数据进行“刷新”以维持电荷，容易受到电气干扰和外界环境等因素的影响。
NAND芯片是一种非易失性存储器件，能够在断电后仍能保持存储的数据不丢失。NAND芯片中的存储单元是通过电子浮动门存储电荷，因此比DRAM具有更高的密度和更高的读/写速度。NAND芯片常用于SD卡、固态硬盘、U盘、闪存和移动设备中。
总之，DRAM和NAND芯片都是不同类型的存储器件，在不同的场合中被广泛应用。
nand芯片排名
1 三星电子(Samsung)
由于服务器需求回温以及不同应用端采用高容量产品呈明显成长，加上移动设备客户转单效应，三星第二季位元销售成长约30%。随着需求表现转趋正面，平均销售单价跌幅收敛至15%的水平，第二季营收达37.66亿美元，较第一季成长16.6%。
从产能分析，今年以来三星的产能规划无太大改变，在产能缩减部分皆以Line12的平面制程为主，以反映客户需求持续转进V-NAND，缩减后的空间则用于R&D，至于3D NAND的部分，在无刻意或人为减产情况下，整体投片规模与第一季相当。
2 SK海力士(SK Hynix)
SK海力士的营运表现依然与移动设备市场销售状况高度连动，受惠于价格弹性引领平均搭载容量迅速成长，以及部分中国客户转单，第二季位元出货成长达到40%，但由于平均售价仍有25%的显著跌幅，本季SK海力士NAND Flash营收为11.06亿美元，季成长8.1%。
以产能规划而言，SK海力士宣布整体NAND Wafer投片量将较前一年减少15%，主要在于平面制程的缩减，因应需求转向较低成本的3D NAND。新厂M15的产能扩增仍按先前规划，整体3D NAND的投片量会缓慢增长，并以TLC架构为主，今年内SK海力士仍无量产QLC产品的打算。
3 东芝记忆体(Toshiba)
第二季在移动设备市场备货较为积极下，东芝的出货表现有所复苏，其位元出货成长率为0-5%，但受到第二季合约价进一步走跌的影响，平均销售单价跌幅近15%，营收较上季衰退10.6%，为19.48亿美元。
如何读取芯片程序
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点击打开Tasklink
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在以上主菜单中选择Task-Task/Kit manager, 再点击右侧的add按钮以增加一个新任务，然后在弹出的对话框内为任务命名，列如：XXX READ。
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在Primary框中选择要读取芯片的名称，列如：H8BCS0UN0MCR。
选择的时候在show选项框中选择All devices.
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在Data标签中,选择”MASTER DEVICE”，此项功能是用于芯片内容读取的，右边有显示：First job run，表示第一次在FlashPAK上运行任务时读取，即每次只能读取一次（第二次操作则是将第一次读取出来的数据作为母片来烧录后续的芯片）；如需再读取则需要再重新建立一个任务卡。
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如果芯片为NAND Flash，则还需设置“special features“中的两项：
Bad blockhandling type：NONE
Errorbits allowed in one page：1bit
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其它设置不用更改，完成后点击确定，然后点击Load转入CF中，即芯片的读取任务卡已做好，插入FlashPAK烧录器执行此任务即可，系统会提示你放入一颗芯片，放入后，系统即开始执行芯片的读取。注意：此任务卡只执行一次芯片的内容读取，如读取失败或错误，则可以重新读；一旦读取成功后，则不能再用来读取芯片，需重新做任务来读取。读取完的芯片内容会存储在CF卡中Job目录下，名称为image.bin。
读取芯片程序步骤：
1、首先打开ccs3.3软件。
2、给主控机箱上电,主控插件指示灯亮起。
3、按下“ALT+C”按键,建立ccs3.3软件和芯片间的联系，然后即可读取